ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм

В.И.Шашкин , В.М.Данильцев, М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, Д.М.Гапонова,
О.И.Хрыкин, А.В.Мурель, Н.В.Востоков, TaekKim *, Yong-JoPark *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Photonics Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology,
Gyeonggi-do 449-712, Korea

(Получена 28 июля 2005 г. Принята к печати 5 сентября 2005 г.)

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. В качестве источника азота использован демитилгидразин. В настоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомов In. С другой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1 --- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2 --- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3 --- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4 --- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре.

PACS: 78.55.-m, 81.16.-c

 PDF версия (200Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster