ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода

И.Е.Тысченко, К.С.Журавлев, А.Б.Талочкин, В.П.Попов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 11 июля 2005 г. Принята к печати 9 сентября 2005 г.)

Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давления P во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне ~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела \glqq кремний-на-изоляторе-воздух\grqq и \glqq кремний-на-изоляторе-SiO2\grqq, и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом.

PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln

 PDF версия (283Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster