ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) с фазой упорядочения AlGaAs2

Э.П.Домашевская, П.В.Середин, А.Н.Лукин, Л.А.Битюцкая, М.В.Гречкина,
И.Н.Арсентьев*, Д.А.Винокуров*, И.С.Тарасов*

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 июля 2005 г. Принята к печати 25 июля 2005 г.)

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациями Al в металлической подрешетке. В спектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2.

PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq

 PDF версия (383Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster