ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопроводимость и люминесценция в монокристалле CuInSe2 при высоком уровне возбуждения

А.Г.Гусейнов, В.М.Салманов, Р.М.Мамедов\kern1pt

Бакинский государственный университет,
370148 Баку, Азербайджан

(Получена 30 мая 2005 г. Принята к печати 14 сентября 2005 г.)

Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. В спектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной.

PACS: 72.40.+w, 78.55.-m

 PDF версия (110Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster