ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках

Н.А.Поклонский , С.А.Вырко, А.Г.Забродский *

Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 июля 2005 г. Принята к печати 5 сентября 2005 г.)

Предложена модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда (A0- и  A+-зонами для акцепторов и D0- и  D--зонами для доноров) с ростом концентрации легирующей водородоподобной примеси при низкой концентрации компенсирующей примеси. Ширина примесных зон предполагается малой по сравнению со щелью между ними. Учтено, что локальное кулоновское взаимодействие ионов электрического диполя, образовавшегося в результате перехода дырки (электрона) между двумя электрически нейтральными примесными атомами, уменьшает величину щели. Рассчитанные значения термической энергии активации прыжкового перехода дырок (электронов) между примесными зонами согласуются с экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-Si : B, p-Ge : Ga и n-Ge : Sb.

PACS: 71.27.+a, 71.20.Fi, 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Fr

 PDF версия (239Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster