| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe
А.Байдуллаева, З.К.Власенко, Б.К.Даулетмуратов, Л.Ф.Кузан, П.Е.Мозоль
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
(Получена 16 июня 2005 г. Принята к печати 13 июля 2005 г.)
|
Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллах GaSe, GaSe : Ni, GaSe и GaSe. Обнаружены уровни с глубиной залегания 1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и 1.80 эВ. В спектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера. PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy |
| PDF версия (195Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |