ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe

А.Байдуллаева, З.К.Власенко, Б.К.Даулетмуратов, Л.Ф.Кузан, П.Е.Мозоль

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 16 июня 2005 г. Принята к печати 13 июля 2005 г.)

Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллах GaSe, GaSe : Ni, Ga1.05Se0.95 и Ga0.95Se1.05. Обнаружены уровни с глубиной залегания 1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и 1.80 эВ. В спектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера.

PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy

 PDF версия (195Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster