ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур

А.А.Ефремов\kern1pt, Д.В.Тархин\kern1pt*, Н.И.Бочкарева\kern1pt*, Р.И.Горбунов\kern1pt*, Ю.Т.Ребане\kern1pt*, Ю.Г.Шретер\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
194251 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 августа 2005 г. Принята к печати 12 сентября 2005 г.)

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры.

PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster