ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора

Ю.К.Пожела*, В.Г.Мокеров+

* Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва
+ Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия

(Получена 23 мая 2005 г. Принята к печати 30 июня 2005 г.)

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками.

PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be

 PDF версия (157Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster