ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм

Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев\kern1pt,
М.А.Ременный, Н.М.Стусь, А.А.Шленский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 июня 2005 г. Принята к печати 28 июня 2005 г.)

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения 1.94 мкм при 300 K) в температурном диапазоне 77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом.

PACS: 85.60.Jb

 PDF версия (452Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster