ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4--1.8 мкм

В.С.Михрин, А.П.Васильев, Е.С.Семенова, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.Г.Мусихин,
А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 июня 2005 г. Принята к печати 13 июля 2005 г.)

Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила 1.59 мкм, в структурах с квантовыми точками --- 1.76 мкм.

PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr

 PDF версия (200Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster