ФТП, 2006, том 40, выпуск 3: page 332...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Спектральная чувствительность гетероструктур $p$ -Cu_1.8S/ $n$ ^--ZnS/ $n$ -A^IIB^VI

В.Н.Комащенко, К.В.Колежук, Н.В.Ярошенко, Г.И.Шереметова, Ю.Н.Бобренко

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 21 июня 2005 г. Принята к печати 15 июля 2005 г.)

Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа

p

-Cu

_1.8S/

n

^--A

^IIB

^VI/

n

-A

^IIB

^VI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур

p

-Cu

_1.8S/

n

^--ZnS/

n

-CdSe для создания эффективных \glqq солнечно-слепых\grqq сенсоров ультрафиолетового излучения.

PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq

PDF версия (199Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster