ФТП, 2006, том 40, выпуск 3: page 324...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi / Si (001) методом
низкотемпературной ( $300-400$ ^oC) молекулярной эпитаксии

Ю.Б.Болховитянов , А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, М.А.Ревенко, Л.В.Соколов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 29 июня 2005 г. Принята к печати 13 июля 2005 г.)

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (

300-400

^oC) выращены пленки Ge

_xSi

_1-x / Si (001) постоянного состава с

x=0.19-0.32

, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. С помощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки.

PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk

PDF версия (330Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster