ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность

И.А.Карпович\kern1pt, С.В.Тихов, Е.Л.Шоболов, И.А.Андрющенко

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 14 июня 2005 г. Принята к печати 13 июля 2005 г.)

Методом фотоэлектрической спектроскопии на барьерах полупроводника с металлом и электролитом исследовано образование дефектов в приконтактной области GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность. Показано, что возникающий в результате химического взаимодействия Pd с полупроводником при 100oC слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину ~0.4 мкм в GaAs и ~1 мкм в Si. Если в приконтактной области GaAs встроены один или несколько напряженных слоев квантовых ям InGaAs, то дефекты практически не проникают дальше первой квантовой ямы. Это позволяет уменьшить глубину дефектного слоя, но при этом значительно увеличивается объемная концентрация дефектов в этом слое.

PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 73.40.Ns, 73.20.Hb

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster