ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления

П.В.Горский

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 24 мая 2005 г. Принята к печати 30 июня 2005 г.)

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая --- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3 порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными.

PACS: 73.61.At, 72.15.Gd

 PDF версия (187Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster