ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в p-CdZnTe

С.В.Пляцко, Л.В.Рашковецкий

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 12 мая 2005 г. Принята к печати 27 мая 2005 г.)

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< Eg и плотностью мощности W, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) с низкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия и W, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. В стабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны.

PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv

 PDF версия (308Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster