ФТП, 2006, том 40, выпуск 3

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Теория формирования многослойных тонких пленок на поверхности твердого тела	257
Адамашвили Г.Т., Адамашвили Н.Т., Моцонелидзе Г.Н., Пейкришвили М.Д. Поверхностные акустические бризеры в полупроводниках	264
Мирзаде Ф.Х. Нелинейные продольные волны взаимодействующих полей деформации и концентрации дефектов в германии и кремнии	269
Венгренович Р.Д., Москалюк А.В., Ярема С.В. Распределение островков по размерам в условиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур	276

Электронные и оптические свойства полупроводников
Белогорохов А.И., Флоренцев А.А., Белогорохов И.А., Пашкова Н.В., Елютин А.В. Ширина запрещенной зоны и оптические свойства твердых растворов Cd_xHg_1-x-yZn_yTe в ультрафиолетовой и видимой области спектра	281
Пляцко С.В., Рашковецкий Л.В. Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в $p$ -CdZnTe	287
Горский П.В. Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления	296
Давыдов С.Ю., Посредник О.В. О влиянии вакансий в подрешетках кремния и углерода на формирование барьера Шоттки на контакте металл--SiC	304
Любимский В.М. Модель проводимости поликристаллического кремния $p$ -типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах	307

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика на переключение туннельной МОП структуры Al/SiO₂/ $n$ -Si при обратном смещении	314
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Андрющенко И.А. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность	319
Болховитянов Ю.Б., Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Ревенко М.А., Соколов Л.В. О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной ( $300-400$ ^oC) молекулярной эпитаксии	324
Комащенко В.Н., Колежук К.В., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н. Спектральная чувствительность гетероструктур $p$ -Cu_1.8S/ $n$ ^--ZnS/ $n$ -A^IIB^VI	332

Низкоразмерные системы
Соболев М.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Михрин В.С., Цырлин Г.Э., Мусихин Ю.Г. Связывание состояний электронов в молекуле квантовых точек InAs/GaAs	336
Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н. Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si_1-xGe_x	343
Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М. Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4--1.8 мкм	347

Физика полупроводниковых приборов
Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In_0.53Ga_0.47As/InP	351
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм	356
Пожела Ю.К., Мокеров В.Г. Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора	362
Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов	367
Бойко А.М., Сурис Р.А. Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя	372
Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур	380