ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001)

Н.В.Востоков, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, О.А.Кузнецов*,
Д.НЛобанов, А.В.Новиков, М.В.Шалеев\kern1pt

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 31 мая 2005 г. Принята к печати 14 июня 2005 г.)

Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфере SiGe.

PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk

 PDF версия (229Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster