ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками

Н.В.Сибирев\kern1pt*, В.Г.Талалаев\kern1pt+,\land, А.А.Тонких\kern1pt*,\land,o, Г.Э.Цырлин\kern1pt*,\land,o,
В.Г.Дубровский\kern1pto, Н.Д.Захаров\kern1pt\land, P.Werner\kern1pt\land

* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет,
198504 Петродворец, Россия
\land Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
06120 Halle (Saale), Deutschland
o Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 9 июня 2005 г.)

Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. С учетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формируют минизону. Дырочные волновые функции остаются локализованными в квантовых точках. Спектр оптических переходов в 20-слойной структуре, рассчитанный для комнатной температуры, хорошо согласуется с экспериментально измеренным спектром фотолюминесценции, показывающим интенсивную полосу вблизи 1.6 мкм. Теоретически и экспериментально установлен характерный признак существования минизоны в сверхрешетке --- интегралы перекрытия электронных и дырочных волновых функций и интегральная интенсивность фотолюминесценции полосы квантовых точек Ge описываются квадратичной зависимостью от количества периодов структуры.

PACS: 68.65.-k, 71.83.-k, 73.21.-b, 73.63.Kv

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster