ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках

С.И.Покутний\kern1pt

Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова,
68001 Ильичевск, Украина

(Получена 26 апреля 2005 г. Принята к печати 31 мая 2005 г.)

Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значения, превосходящие типичные значения соответствующих величин для полупроводниковых материалов. В рамках дипольного приближения установлено, что большие значения сечений поглощения света, а также оптического коэффициента ослабления света в изучаемых квазинульмерных системах дают возможность использовать такие системы в качестве новых сильно поглощающих материалов.

PACS: 78.67.Hc, 73.30.Ly, 78.20.Dj

 PDF версия (135Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster