ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек

В.А.Кульбачинский , В.А.Рогозин, В.Г.Кытин, Р.А.Лунин, Б.Н.Звонков, З.М.Дашевский *, В.А.Касиян *

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev,
P.O. Box 653, Beer-Sheva 84105, Israel

(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 20 мая 2005 г.)

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными.

PACS: 73.63.Kv, 73.21.La

 PDF версия (349Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster