ФТП, 2006, том 40, выпуск 2
ФТП, 2006, том 40, выпуск 2
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением
В.А.Володин, А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, М.Д.Ефремов, А.И.Никифоров,
Е.И.Гацкевич, Г.Д.Ивлев, Г.Ю.Михалев
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии,
220090 Минск, Белоруссия
Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия
(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 20 мая 2005 г.)
|
Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GeSi анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GeSi до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6 монослоев Ge) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi |
| PDF версия (437Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |