ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства поверхности CuInS2 и влияние на них органических слоев

А.Б.Вербицкий\kern1pt, Я.И.Верцимаха, П.Н.Луцик, С.Л.Студзинский, С.Березнев\kern1pt*, Ю.Койс\kern1pt*

Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Departament of Materials Science, Tallinn University of Technology,
19086 Tallinn, Estonia

(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 8 июня 2005 г.)

Работа посвящена изучению свойств поверхности CuInS2 (CIS) и влияния на них тонких органических слоев. Исследованные слои CIS обладают фоточувствительностью в области 1.5-3.0 эВ. Квадратичная аппроксимация длинноволнового края спектральной зависимости фотоэдс дает значение ширины запрещенной зоны Eg=1.46±0.02 эВ. Показано, что основной вклад в формирование барьера у свободной поверхности CIS дают акцепторные уровни, расположеные на ~0.1 и ~0.2 эВ выше потолка валентной зоны CIS. При нанесении полимерного слоя на свободную поверхность CIS одновременно происходит небольшое уменьшение высоты потенциального барьера и увеличение эффективности переноса носителей заряда, а при нанесении на свободную поверхность CIS органического полупроводника p-типа происходит частичная нейтрализация центров захвата и уменьшение скорости рекомбинации носителей заряда у поверхности пленки CIS.

PACS: 42.70.Fk, 78.66.Qn, 79.60.Fr

 PDF версия (211Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster