ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

В.Г.Шенгуров\kern1pt, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, Д.В.Шенгуров\kern1pt*, С.А.Денисов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603000 Нижний Новгород, Россия

(Получена 11 мая 2005 г. Принята к печати 26 мая 2005 г.)

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+.

PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv

 PDF версия (260Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster