ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний

А.А.Евтух, Э.Б.Каганович\kern1pt, Э.Г.Манойлов, Н.А.Семененко

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 11 апреля 2005 г. Принята к печати 12 мая 2005 г.)

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции --- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалах Si. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристаллов Si. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристаллов Si, отсутствию крупных нанокристаллов.

PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi

 PDF версия (203Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster