ФТП, 2006, том 40, выпуск 2: page 169...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Фоточувствительность пленок Pb_1-xSn_xTe $<$ In $>$ в терагерцовой области спектра

А.Н.Акимов, В.Г.Ерков, В.В.Кубарев^*, Е.Л.Молодцова, А.Э.Климов, В.Н.Шумский

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
^* Институт ядерной физики Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 6 июня 2005 г. Принята к печати 21 июня 2005 г.)

В жидком гелии в пленках Pb

_1-xSn

_xTe

<

>

/BaF

₂ обнаружено увеличение тока под воздействием лазерного излучения с длиной волны

lambda=336.8 мкм (частота

~0.9

·10¹² Гц), которое не может быть объяснено разогревом образца. Наблюдаемое время релаксации фотосигнала не превосходит постоянной времени

RC

измерительной цепи, составлявшей доли секунды, и значительно меньше, чем при освещении в фундаментальной полосе поглощения Pb

_1-xSn

_xTe

<

>

. Полученные результаты объясняются увеличением низкочастотной диэлектрической проницаемости

varepsilon вследствие возбуждения фотонами субмиллиметрового диапазона длин волн одного или двух поперечных оптических фононов вблизи центра зоны Бриллюэна на ветви, ответственной за сегнетоэлектрический фазовый переход. Это приводит к увеличению ограниченного объемным зарядом инжекционного тока из контактов без генерации свободных носителей заряда в объеме.

PACS: 78.66.Li

PDF версия (180Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster