ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs : Te

В.А.Богданова, Н.А.Давлеткильдеев, Н.А.Семиколенова, Е.Н.Сидоров

Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
644077 Омск, Россия

(Получена 12 марта 2005 г. Принята к печати 9 июня 2005 г.)

Представлены результаты исследования поглощения инфракрасного излучения свободными носителями заряда в монокристаллах GaAs : Te, выращенных методом Чохральского с концентрацией электронов n0=5· 1017-6· 1018 см-3. Анализ спектральных зависимостей коэффициента поглощения проводился с учетом пространственной корреляции в распределении примесных зарядов. Показано, что модель корреляции ближнего порядка позволяет объяснить уменьшение величины коэффициента поглощения и ослабление его спектральной зависимости в области поглощения свободными носителями заряда, обусловленного рассеянием на ионах примеси.

PACS: 78.20.Di, 78.30.Fs, 71.55.Eq

 PDF версия (114Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster