ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении

В.Л.Малевич\kern1pt

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия

(Получена 18 апреля 2005 г. Принята к печати 27 мая 2005 г.)

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через 50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (в десятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковые L- и X-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются.

PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx

 PDF версия (219Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster