ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

О.А.Парфенюк\kern1pt, М.И.Илащук, К.С.Уляницкий, П.М.Фочук, О.М.Стрильчук\kern1pt*,
С.Г.Крилюк\kern1pt*, Д.В.Корбутяк\kern1pt*

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 18 апреля 2005 г. Принята к печати 18 мая 2005 г.)

Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примеси Si: C0Si=2·1018-5·1019 см-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах sigma=2·10-1-8·10-9 Ом-1·см-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервале температур 300-440 K происходил их отжиг, при этом проводимость уменьшалась. Вид спектров низкотемпературной (5-20 K) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Особенностью излучения кристаллов CdTe : Si является уменьшение интенсивности всех линий, которые образуются при участии доноров, по мере приближения к верхней части слитков. Полученные результаты указывают на то, что примесь Si, в отличие от Ge, Sn и Pb, не проявляет в CdTe компенсирующего и стабилизирующего действия.

PACS: 78.55.Et, 73.61.Ga

 PDF версия (227Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster