-1 Изучены поляризационные спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe, с нарушенной стехиометрией и легированных Bi, выращенных методом статической сублимации. В спектрах специально не легированных кристаллов GeSe при 293 K в области края собственного поглощения выявлены два сильно поляризованных максимума при энергиях фотонов $h$nu_max=1.35 эВ ($$ E|| a) и $h$nu_max=1.44 эВ ($$ E|| b), обусловленных оптическими переходами $Vv$₁-> V^c₁ и $$Delta^v₂-> Delta^c₁ соответственно. В области низких температур выявлена экситонная фотопроводимость с максимумом при $h$nu_max=1.32 эВ, связанная с диссоциацией экситонов на катионных вакансиях. С увеличением избытка Se в кристаллах наблюдалось резкое увеличение интенсивности экситонного максимума в спектрах фотопроводимости. Показано, что эффективным средством управления электрическими и фотоэлектрическими свойствами кристаллов GeSe является легирование их донорной примесью Bi. Несмотря на то, что при введении Bi в моноселенид германия не происходит инверсии типа проводимости с $p$ на $n$, наблюдается резкое увеличение удельного сопротивления, фотоочувствление кристаллов и появление в спектрах фотопроводимости интенсивной примесной полосы с максимумом на 1.11 эВ.

PACS: 72.40.+w, 61.66.Fn