ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs

В.А.Ромака, Ю.В.Стаднык\kern1pt*,, М.Г.Шеляпина+, Д.Фрушарт\kern1pt$$, В.Ф.Чекурин,
Л.П.Ромака\kern1pt*, Ю.К.Гореленко\kern1pt*

Институт прикладных проблем математики и механики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины,
79053 Львов, Украина
*Львовский национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина
+Институт физики им. И.В. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Россия
$$Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований,
38042 Гренобль, Франция

(Получена 2 марта 2005 г. Принята к печати 18 апреля 2005 г.)

Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr1-xScxNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик--металл при изменении состава Zr1-xScxNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника.

PACS: 71.30.+n, 71.28.+d, 72.20.Pa, 72.20.-i, 75.20.-g

 PDF версия (403Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster