ФТП, 2006, том 40, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Устойчивость фотоотклика кристаллов Cd1-xZnxTe

В.К.Комарь*, В.П.Мигаль, С.В.Сулима*, А.С.Фомин

Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского \glqq ХАИ\grqq,
61070 Харьков, Украина
*НТК \glqq Институт монокристаллов\grqq, Институт сцинтилляционных материалов Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина

(Получена 15 марта 2005 г. Принята к печати 5 апреля 2005 г.)

Разнообразие и характер распределения дефектов структуры, а также флуктуации состава обусловливают индивидуальность и неустойчивость фотоотклика I детекторов и спектрометров на основе Cd1-xZnxTe при интенсивных воздействиях или при экстремальных условиях эксплуатации. Показано, что они наиболее полно отражаются в дифференциальных спектральных характеристиках I(hnu) и построенных на их основе диаграммах dI/dnu=f(I).

PACS: 72.40.+w, 77.22.Ch

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster