| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние состояния водорода в решетке
на эффективность введения донорных центров
в кислородсодержащем кремнии
В.В.Болотов, Г.Н.Камаев, А.В.Носков, С.А.Черняев, В.Е.Росликов
Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
644027 Омск, Россия
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 6 июня 2005 г.)
|
Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при C после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения -квантами . Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si -квантами с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при C. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y |
| PDF версия (189Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |