ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 при gamma-облучении

В.В.Емцев, Ю.А.Николаев, Д.С.Полоскин, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков, М.В.Якушев +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Strathclyde University,
G 40 NG, Glasgow, UK

(Получена 6 мая 2005 г. Принята к печати 12 мая 2005 г.)

Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэлектрические параметры тонкопленочных гетерофотоэлементов вплоть до потоков Phi~ 1.1·1018 квант / см2. Сделан вывод о возможностях использования гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в условиях высокого радиационного фона.

 PDF версия (231Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster