ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC

О.Ю.Ледяев, А.М.Стрельчук\kern1pt, А.Н.Кузнецов, Н.В.Середова, А.С.Зубрилов,
А.А.Волкова, А.Е.Николаев, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 апреля 2005 г. Принята к печати 10 мая 2005 г.)

Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выращенным слоем p+-6H-SiC. Проведенные в настоящей работе электрофизические исследования подтверждают достаточно хорошее качество полученных n-GaN/p-SiC-гетероструктур. Это показывает перспективность использования данной комбинации ростовых технологий для получения на основе гетеропереходов n-GaN/p-SiC биполярных и полевых транзисторов.

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster