ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения

Д.И.Крыжков\kern1pt*, Н.А.Соболев\kern1pt, Б.А.Андреев\kern1pt*, Д.В.Денисов, З.Ф.Красильник\kern1pt*, Е.И.Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603600 Нижний Новгород, Россия

(Получена 26 апреля 2005 г. Принята к печати 10 мая 2005 г.)

Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до 1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. В слоях, выращенных при температурах =<q 500oC, доминируют обусловленные эрбием узкие линии, полная ширина которых на половине интенсивности не превышает 9 см-1. При этом наблюдаются по крайней мере два разных центра, содержащих ионы Er3+ и примеси углерода. При дальнейшем повышении температуры эпитаксиального роста доминируют широкие линии (>=q 40 см-1), принадлежащие ионам Er3+ в SiOx-преципитатах. Зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции Er-зависимых центров от температуры молекулярно-лучевого эпитаксиального роста представляет собой кривую с максимумом при 500oC.

 PDF версия (182Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster