ФТП, 2005, том 39, выпуск 12: page 1440...

ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Оценки энергетических характеристик гетеропереходов
$3C$ -SiC/ $2H$ -, $4H$ -, $6H$ - и $8H$ -SiC

С.Ю.Давыдов^\kern1pt, А.А.Лебедев, О.В.Посредник

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 февраля 2005 г. Принята к печати 31 марта 2005 г.)

В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте

3C

-SiC с политипами

NH

-SiC (

N=2

, 4, 6, 8). В рамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состояния

varepsilon₀. Показано, что эффективно управлять положением уровня

varepsilon₀ можно только с помощью легирования широкозонного политипа

n

NH

-SiC мелкими донорами.

PDF версия (122Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster