ФТП, 2005, том 39, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О влиянии поперечного квантования на электрические характеристики туннельной МОП структуры
субмикрометровых размеров

М.И.Векслер, И.В.Грехов , А.Ф.Шулекин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 марта 2005 г. Принята к печати 25 марта 2005 г.)

Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.

 PDF версия (430Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster