| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Мессбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe
Е.И.Теруков, Э.С.Хужакулов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Ташкентский областной государственный педагогический институт,
702500 Ангрен, Узбекистан
(Получена 30 марта 2005 г. Принята к печати 15 апреля 2005 г.)
| Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе As(Ge) показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта Ge, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного превращения As, не зависит от положения уровня Ферми. В противоположность этому, центр Ge в катионной подрешетке PbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge), а в дырочных --- двукратно ионизованному состоянию (Ge) этого центра. |
| PDF версия (110Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |