ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода

Е.В.Анищенко, В.А.Кагадей , Е.В.Нефедцев *, Д.И.Проскуровский *, С.В.Романенко *

Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов,
634034 Томск, Россия
* Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук,
634021 Томск, Россия

(Получена 4 января 2005 г. Принята к печати 27 января 2005 г.)

Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5 порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от 0.3-0.25 мкм и глубиной 0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс \glqq сухой\grqq очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.

 PDF версия (249Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster