ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN

А.М.Емельянов, Н.А.Соболев , Е.И.Шек, В.В.Лундин, А.С.Усиков, Е.О.Паршин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук,
150007 Ярославль, Россия

(Получена 22 ноября 2004 г. Принята к печати 6 декабря 2004 г.)

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN, имплантированных ионами эрбия с энергией 1 МэВ и дозой 3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионов Er3+ в сверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига 700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8 раза) и максимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при 900oC. При увеличении температуры отжига до 1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.

 PDF версия (142Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster