ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние субмонослойной металлической пленки на величину изгиба зон полупроводниковой подложки

С.Ю.Давыдов *,$, А.В.Павлык $

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 декабря 2004 г. Принята к печати 17 декабря 2004 г.)

В рамках задачи об искривлении энергетических зон установлена связь их изгиба на поверхности полупроводника, вызванного адсорбцией субмонослойной металлической пленки, с изменением работы выхода системы. Проанализированы экспериментальные данные по адсобции металлов на подложках GaAs и SiC n- и p-типа.

 PDF версия (88Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster