ФТП, 2005, том 39, выпуск 9ФТП, 2005, том 39, выпуск 9| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А. Формирование наноструктур в системе GaSe / GaAs | 1025 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Микрофотолюминесценция нелегированного монокристаллического теллурида цинка, полученного неравновесными парофазными методами | 1029 |
| Матвеев О.А., Терентьев А.И., Зеленина Н.К., Гуськов В.Н., Седов В.Е., Томасов А.А., Карпенко В.П. Точная самокомпенсация проводимости в кристалле CdZnTe : Cl в широком интервале давлений пара Cd | 1034 |
| Басалаев Ю.М., Гордиенко А.Б., Поплавной А.С. Оптические свойства кристаллов ZnGeP в ультрафиолетовой области | 1040 |
| Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Неустойчивость дрейфовых волн в двухкомпонентной твердотельной плазме | 1043 |
| Брунков П.Н., Гуткин А.А., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами AsSb | 1049 |
| Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Дремлюженко С.Г., Заплитный Р.А., Фодчук И.М., Жихаревич В.В., Дейбук В.Г., Попенко Н.А., Иванченко И.В., Жигалов А.А., Карелин С.Ю. Исследование свойств HgCdMnZnTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона | 1053 |
| Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Федоров М.И., Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Компаниец В.В., Чистяков В.А. Кинетические коэффициенты -BiTeSe в двузонной модели электронного спектра | 1059 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е. Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов -CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера | 1064 |
| Давыдов С.Ю., Павлык А.В. Влияние субмонослойной металлической пленки на величину изгиба зон полупроводниковой подложки | 1068 |
| Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П., Сергеева О.Н. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок ZnCuInSe, полученных селенизацией | 1070 |
| Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Якупов М.Н. Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости в субмикронных кремниевых структурах | 1075 |
| Низкоразмерные системы | |
| Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков А.С., Паршин Е.О. Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN | 1080 |
| Игнатенко С.А., Борисенко В.Е. Спиновой фильтр на квантовом точечном контакте в разбавленном магнитном полупроводнике | 1083 |
| Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А. Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs | 1088 |
| Ивановская В.В., Зейферт Г., Ивановский А.Л. Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки | 1093 |
| Покутний С.И. Экситонные состояния в полупроводниковых сферических наноструктурах | 1101 |
| Елесин В.Ф., Катеев И.Ю. Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур | 1106 |
| Маслов А.Ю., Прошина О.В. Поляризация оптического излучения поляронного экситона в анизотропных квантовых точках | 1111 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Морозов Д.В., Смирнов К.В., Смирнов А.В., Ляхов В.А., Гольцман Г.Н. Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель на основе разогрева двумерного электронного газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения | 1117 |
| Шерстнев В.В., Монахов А.М., Астахова А.П., Кислякова А.Ю., Яковлев Ю.П., Аверкиев Н.С., Krier A., Hill G. Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона | 1122 |
| Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Структуры полупроводникдиэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра | 1129 |
| Саченко А.В., Крюченко Ю.В. О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокаций | 1132 |
| Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода | 1138 |