ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокомощные синие флип--чип светодиоды на основе AlGaInN

Д.А.Закгейм , И.П.Смирнова, И.В.Рожанский, С.А.Гуревич, М.М.Кулагина,
Е.М.Аракчеева, Г.А.Онушкин +, А.Л.Закгейм +, Е.Д.Васильева *, Г.В.Иткинсон *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ЗАО \glqq Светлана--Оптоэлектроника\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 октября 2004 г. Принята к печати 28 ноября 2004 г.)

Сообщается о разработке конструкции и изготовлении светодиодного кристалла большой мощности с площадью активной области 1 мм2, излучающего на длине волны 460 нм. Конструкция кристалла разработана на основе численного моделирования и предназначается для монтажа флип--чип. Применение двухуровневой разводки n-контакта позволило получить рекордно низкое значение последовательного сопротивления (0.65 Ом) и высокую однородность распределения тока накачки. Светодиоды на основе разработанной конструкции работают в непрерывном режиме в диапазоне токов 0--2 А, при этом максимальная выходная оптическая мощность составила 430 мВ.

 PDF версия (289Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster