ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому

Ю.Г.Мусихин *, Г.Э.Цырлин *+, В.Г.Дубровский *, Ю.Б.Самсоненко *+,
А.А.Тонких *+, Н.А.Берт *, В.М.Устинов *

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190083 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 ноября 2004 г. Принята к печати 25 ноября 2004 г.)

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6 монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. В закритической области (более 1.8 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.

 PDF версия (169Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster