ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические переходы в квантованном цилиндрическом слое при наличии однородного электрического поля

В.А.Арутюнян , С.Л.Арутюнян, Г.О.Демирчян, Г.Ш.Петросян *

Государственный инженерный университет Армении, Гюмрийский филиал,
377503 Гюмри, Армения
* Арцахский государственный университет,
374430 Степанакерт, Республика Нагорный Карабах

(Получена 20 июля 2004 г. Принята к печати 15 ноября 2004 г.)

В одноэлектронном приближении рассмотрено изменение энергетического спектра носителей заряда в цилиндрическом полупроводниковом слое под влиянием поперечного к оси симметрии однородного электрического поля. Получена явная зависимость величины штарковского сдвига от напряженности внешнего поля и нанорадиальных размеров образца. Рассчитаны также коэффициенты поглощения и получены соответствующие правила отбора для межзонных и внутризонных-межподзонных оптических переходов в присутствии внешнего электрического поля.

 PDF версия (128Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster