ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)xOy

С.А.Блохин , А.Н.Смирнов, А.В.Сахаров, А.Г.Гладышев, Н.В.Крыжановская, Н.А.Малеев,
А.Е.Жуков, Е.С.Семенова, Д.А.Бедарев, Е.В.Никитина, М.М.Кулагина, М.В.Максимов,
Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 декабря 2004 г. Принята к печати 22 декабря 2004 г.)

Для изучения процесса селективного оксидирования слоев Al0.97Ga0.03As применена спектроскопия комбинационного рассеяния света. Определены механические напряжения, возникающие в структурах GaAs/(AlGa)xOy при различных режимах процесса селективного оксидирования. Проанализированы эффекты локального нагрева образцов лазерным излучением при измерениях комбинационного рассеяния света, \glqq задубливания\grqq фоторезиста при оксидировании и \glqq переоксидирования\grqq. Проведена оптимизация аппаратуры и методики селективного оксидирования, позволившая реализовать матрицы вертикально излучающих лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs с верхним оксидированным и нижним полупроводниковым распределенными брэгговскими отражателями.

 PDF версия (444Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster