ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD

О.И.Шевалеевский , S.Y.Myong *, K.S.Lim *, S.Miyajima +, M.Konagai +

Институт биохимической физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Korea Advanced Institute of Science and Technology,
Daejeon 305-701, South Korea
+ Tokyo Institute of Technology,
2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

(Получена 21 июля 2004 г. Принята к печати 6 октября 2004 г.)

Исследовано поведение парамагнитных DB-дефектов и темновой проводимости (sigmad) в легированных бором пленках нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD. Показано, что увеличение уровня легирования приводит к фазовому переходу от кристаллической структуры к аморфной. Проводимость растет с легированием до sigmad=5.5·10-2 Ом-1·см-1, однако после фазового перехода понижается. Концентрация DB-дефектов с легированием монотонно убывает от 1019 см-3 в кристаллической до 9·1017 см-3 в аморфной структуре.

 PDF версия (167Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster