ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре

А.А.Герасимович *+, С.В.Жоховец *+, Г.Гобш +, Д.С.Доманевский *

* Белорусский национальный технический университет,
220100 Минск, Белоруссия
+ Institute of Physics, Ilmenau Technical University,
98684 Ilmenau, Germany

(Получена 14 сентября 2004 г. Принята к печати 2 ноября 2004 г.)

Исследовано электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре. Наблюдалось осциллирующее поведение сигнала электроотражения в зависимости от толщины верхнего барьера AlGaAs. Экспериментальные данные анализируются с использованием диэлектрической функции квантовых ям и метода матриц переноса для слоистых систем, что позволяет определить параметры квантовых ям и барьерных слоев.

 PDF версия (225Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster