ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках

Б.М.Павлишенко, Р.Я.Шувар

Львовский национальный университет им. Ивана Франко (физический факультет),
79005 Львов, Украина

(Получена 2 ноября 2004 г. Принята к печати 15 ноября 2004 г.)

Методами численного моделирования исследуется рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта с учетом влияния компенсирующих примесей. Показана возможность усиления стационарным фотовозбуждением амплитуд переменных концентраций свободных носителей, индуцированных динамической деформацией полупроводника.

 PDF версия (115Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster