ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической
нестационарной спектроскопии

А.П.Одринский

Институт технической акустики Национальной академии наук Белоруссии,
210017 Витебск, Белоруссия

(Получена 13 июля 2004 г. Принята к печати 9 сентября 2004 г.)

Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.

 PDF версия (250Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster